возникновение примесей

загрязнение
Привнесение в природную или непосредственно в антропогенную среду или возникновение в ней новых, обычно не характерных для этой среды физических, химических или биологических агентов, или превышение в рассматриваемое время естественного среднемноголетнего уровня в пределах его крайних колебаний концентрации перечисленных агентов в среде, оказывающих вредное воздействие на человека, флору и фауну.
[РД 01.120.00-КТН-228-06]

загрязнение
1 Директива ЕС 96/61/ЕЭС (от 24 сентября 1996 г., касающаяся единых мер предотвращения загрязнения и борьбы с ним, статья 2 (11).
2 Объединенная группа экспертов ММО/ЮНЕСКО/ВМО/МАГАТЕ/ООН/ЮНПОС по научным аспектам изучения загрязнения морей.
3 Конвенции о защите морской среды в районе Северо-Восточной Атлантики, Париж, 22 сентября 1992 г., статья 1, п. (d).
d Конвенция о защите морской среды в районе Балтийского моря, 1992, (Хельсинская конвенция), статья 2, п. 1.
[ ГОСТ Р ИСО 14050-99]

Тематики

• магистральный нефтепроводный транспорт
• управление окружающей средой

EN

• contamination
• pollution

загрязнение (contamination): Нежелательное внесение примесей химического или микробиологического происхождения или постороннего материала в исходный материал, промежуточный продукт или АФС в ходе производства, отбора проб, упаковки или переупаковки, хранения или транспортирования.

Источник: ГОСТ Р 52249-2009: Правила производства и контроля качества лекарственных средств оригинал документа

2.8 загрязнение (soil): Материал, включая микроорганизмы, метаболиты и компоненты технологических сред, находящиеся на поверхности.

Источник: ГОСТ Р ЕН 12296-2009: Биотехнология. Оборудование. Методы контроля эффективности очистки

2.41 загрязнение (contaminant): Любое вещество (частицы, молекулярные и биологические структуры), которое может неблагоприятно влиять на продукцию или процесс.

[ИСО 14644-4:2001, статья 3.5]

Источник: ГОСТ Р ИСО 14644-6-2010: Чистые помещения и связанные с ними контролируемые среды. Часть 6. Термины оригинал документа

3.6.8 загрязнение (pollution): Любое добавление инородных веществ, твердых, жидких или газообразных, которые могли бы уменьшить электрическую прочность изоляции или ее поверхностное удельное сопротивление.

[МЭК 60664-1, пункт 1.3.11]

Источник: ГОСТ Р 50345-2010: Аппаратура малогабаритная электрическая. Автоматические выключатели для защиты от сверхтоков бытового и аналогичного назначения. Часть 1. Автоматические выключатели для переменного тока оригинал документа

3.5.5 ЗАГРЯЗНЕНИЕ (POLLUTION): Присутствие любого постороннего твердого, жидкого или газообразного (ионизированные газы) материала, который может снизить электрическую прочность диэлектрика или уменьшить поверхностное сопротивление.

Источник: ГОСТ IEC 61010-031-2011: Безопасность электрических контрольно-измерительных приборов и лабораторного оборудования. Часть 031. Требования безопасности к щупам электрическим ручным для электрических измерений и испытаний

3.5.26 загрязнение (pollution): Любая добавка инородного вещества, твердого, жидкого или газообразного (ионизированного газа), которая может повлиять на электрическую прочность изоляции или удельное сопротивление поверхности.

Источник: ГОСТ Р 51731-2010: Контакторы электромеханические бытового и аналогичного назначения оригинал документа

плазменная металлургия
Неорганич. полупроводниковых вещ-в и материалов и изделий из них с задан. св-вами.
Возникновение этого направления м. связано с изобретением в конце 1940-х гг. полупроводникового триода (транзистора). В н. в. класс полупроводниковых вещ-в и материалов весьма обширен (см. Полупроводниковые вещества). Для их получения применяются как методы, основ, на кристаллизации расплавов, так и методы кристаллизации из паровой (газ.) фазы. Компактные слитки и изделия можно изготовлять тж. прессованием порошков, экструзией и др. известными в металлургии методами. Полупроводниковые вещ-ва могут иметь монокристаллич., поликристаллич., нанокристаллич. и аморфную структуры.
Задача обеспеч. вые. чистоты конечного продукта от неконтролир. примесей наиб, важна в произ-ве полупроводниковых материалов. При получении (синтезе) полупроводниковых материалов использ. высокочистые исх. химич. элементы или высокочистые химич. соединения. Технологич. операции при необходимости осуществл. в спец. чистых произ-венных помещениях и боксах. Соблюдаются соответст. условия технологич. гигиены. Разработаны и использ. разнообразные методы изготовления высокочистых вещ-в и материалов: ректификац. очистка, дистилляция, возгонка, очистка на ионообменных смолах, очистка методами электрохимии, кристалли-зац. методы очистки и др. Для получения высокочистых химич. элементов или вещ-в широко применяются методы водородного восстановления, термич. разложения предварит, очищ. химич. соединений. Для выращивания монокристаллов из расплавов использ. методы Чохральского, Бриджмена, бестигельной зонной плавки, горизонт, зонной плавки. Для выращивания из паровой фазы — метод сублимации, метод газотранспортных химич. реакций, метод термич. разложения паров химич. соединений и др. Слои и пленки выращ. методами газ., жидкофазной, молекулярно-лучевой эпитаксии и рядом др. способов. Технологич. процессы и оборудование, использ. в произ-ве полупроводниковых материалов, позволяют получать малодислокац., с плотностью дислокаций s 103 см~2, и бездислокац. полупроводниковые материалы с вые. однородностью св-в. Напр., монокристаллы Si выращивают бездислокац., и при диам. 200 мм неоднородность св-в не превышает 2-5 %.
Исходя из уровня требований к кач-ву продукции и тех технологич. приемов и оборудования, с помощью к-рых достигается
необх. кач-во продукции, п. м. можно отнести к прециз. По объему выпускаемой продукции — это малотоннажное произ-во. Напр., выпуск монокристаллов Si в мировом масштабе составлял в 1994 г. ок. 7500 т. На рынок кремний большей частью поступает в виде пластин, произ-во к-рых достигло в 1994 г. около 15 млрд. см², когда произв-во германия составляло ок. 100 т в год, арсенида галлия — десятки т, фосфидов индия и галлия — ед. т.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]

Тематики

• металлургия в целом

EN

• plasma metallurgy